◆…사진제공:삼성전자
삼성전자가 최고 수준의 공정 개발 난제를 극복한 세계 최초의 '10나노 급 2세대(1y나노) 8Gb(기가비트) DDR4 D램'을 지난달부터 양산, 갤럭시S9 시리즈 탑재가 전망된다.
지난해 2월에 1x나노(10나노급 1세대) 8Gb D램을 양산으로 본격적인 10나노 급 D램 시대를 연 이후 21개월 만에 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고 1세대에 비해 생산성을 약 30% 높일 수 있게 됐다.
이로써 세계 최소 칩 사이즈의 10나노 급(1나노 : 10억분의 1미터) D램을 양산, 글로벌 고객의 프리미엄 D램 수요 증가에 적기 대응할 수 있는 초격차 경쟁력을 구축한 것은 물론 반도체 미세공정의 한계를 극복했다.
지난 2012년에 양산한 2y나노(20나노 급) 4Gb DDR3 보다 용량/속도/소비전력효율을 2배 향상한 이번 2세대 10나노 급 D램 양산을 통해 일부 응용처 제품을 제외하고 전면 10나노 급 D램 양산 체제로 돌입하겠다고 밝혔다.
이번 2세대 10나노 급 D램 제품에는 ①초고속·초절전·초소형 회로 설계, ②초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계, ③2세대 에어 갭(Air Gap) 공정 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다.
초고속·초절전·초소형 회로 설계를 통해 속도는 10% 이상 향상된 반면 소비 전력은 15% 이상 절감됐고 초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계 기술은 셀 데이터 읽기 특성을 2배 이상 향상시킬 수 있었다.
또한 2세대 에어 갭(Air Gap) 공정은 전류가 흐르는 비트라인(bit line) 주변의 미세 영역을 특정 물질 대신 공기로 채우는 공정 기술로 불필요한 전하량을 최소화해 초고감도 셀 개발이 가능하며 셀 배열의 집적도를 향상 시켜 다이 사이즈를 대폭 줄일 수 있다.
삼성전자는 첨단 혁신 공정 기술을 바탕으로 서버용 DDR5, 모바일용 LPDDR5, 슈퍼컴퓨터용 HBM3 및 초고속 그래픽용 GDDR6 등 차세대 프리미엄 D램 양산 기반을 업계 최초로 확보했다고 평가했다.
또한 1y나노 D램 모듈의 CPU업체 실장 평가 완료와 함께 주요 고객사와의 차세대 시스템 개발관련 기술 협력을 추진 중으로 용량과 성능을 높인 10나노 급 D램 라인업을 통해 서버, 모바일 및 그래픽 시장 등 프리미엄 메모리 시장을 지속 선점해 나가겠다고 밝혔다.
