삼성전자가 시스템 반도체와 파운드리 경쟁력 강화를 위해 450조 원 투자를 발표한 가운데 경쟁사인 TSMC도 155조 원 투자계획을 발표했다.
일본의 니케이 아시안 리뷰에 따르면 이러한 TSMC의 발표는 삼성전자의 대규모 투자에 맞서기 위한 목적으로 대만에만 각각 100억 달러(13조 원)를 투입해 3nm(나노미터, 1nm=10억분의 1m) 공정을 적용한 4개의 신규 반도체 생산라인을 건설하고 있다.
양사의 경쟁은 파운드리 부분에서 3nm와 5nm를 포함한 고급 노드를 통해 AMD와 애플, 엔비디아, 퀄컴, 미디어텍과 같은 고객사들을 붙들어 두거나 신규 유치, 경쟁에서 우위를 점하려는 목적이다.
양사는 이미 4nm 칩을 양산 중으로 모두 올해 말까지 3nm 공정 제품의 양산을 발표했으며 2025년까지는 2nm 칩도 대량생산을 시작할 계획이다.
삼성전자가 3nm 공정에 최첨단 GAA(Gate All Around) 기술을 적용하는 반면 TSMC는 2025년 양산 계획인 2nm부터 이 기술을 이용할 것으로 알려졌다. 어느 회사가 시장에서 최종 승자가 될 것인지는 시간이 결정할 것으로 보인다.
일본의 니케이 아시안 리뷰에 따르면 이러한 TSMC의 발표는 삼성전자의 대규모 투자에 맞서기 위한 목적으로 대만에만 각각 100억 달러(13조 원)를 투입해 3nm(나노미터, 1nm=10억분의 1m) 공정을 적용한 4개의 신규 반도체 생산라인을 건설하고 있다.
양사의 경쟁은 파운드리 부분에서 3nm와 5nm를 포함한 고급 노드를 통해 AMD와 애플, 엔비디아, 퀄컴, 미디어텍과 같은 고객사들을 붙들어 두거나 신규 유치, 경쟁에서 우위를 점하려는 목적이다.
양사는 이미 4nm 칩을 양산 중으로 모두 올해 말까지 3nm 공정 제품의 양산을 발표했으며 2025년까지는 2nm 칩도 대량생산을 시작할 계획이다.
삼성전자가 3nm 공정에 최첨단 GAA(Gate All Around) 기술을 적용하는 반면 TSMC는 2025년 양산 계획인 2nm부터 이 기술을 이용할 것으로 알려졌다. 어느 회사가 시장에서 최종 승자가 될 것인지는 시간이 결정할 것으로 보인다.
