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삼성전자, 2030년까지 시스템 반도체 등에 133조원 투자

  • 보도 : 2019.04.24 15:11
  • 수정 : 2019.04.24 15:11

화성 캠퍼스

◆…사진제공:삼성전자

삼성전자가 2030년까지 시스템 반도체 분야 연구개발 및 생산시설 확충에 133조원을 투자하는 한편 1만5천명의 전문 인력 채용계획을 밝혔다.

2030년까지 메모리는 물론 시스템 반도체도 글로벌 1위를 달성하겠다는 '반도체 비전 2030'의 일환으로 팹리스(반도체 설계 전문 업체)와 디자인하우스(설계 서비스 기업) 등 국내 시스템 반도체 생태계의 경쟁력도 강화할 방침이다.

우선 시스템 반도체 사업경쟁력 강화를 위해 2030년까지 국내 R&D 분야에 73조원, 최첨단 생산 인프라에 60조원을 투자할 계획으로 연구개발 인력 양성과 국내 설비/소재 업체 등의 생태계에도 긍정적인 영향이 예상된다.

화성캠퍼스 신규 EUV라인을 활용한 생산량 증대와 함께 국내 신규 라인 투자도 지속 추진하고 기술경쟁력 강화를 위해 시스템 반도체 R&D 및 제조 전문 인력 1만5천명을 채용할 계획이다.

계획이 실행될 경우 2030년까지 연평균 11조원의 R&D 및 시설투자 집행과 42만 명의 간접 고용유발 효과가 발생할 것으로 예상된다.

더불어 국내 팹리스 업체를 지원하는 등 상생협력을 통해 한국 시스템 반도체 산업생태계 강화에도 적극적으로 나설 방침이다. 이를 위해 인터페이스IP, 아날로그 IP, 시큐리티(Security) IP 등 삼성전자가 개발한IP(Intellectual Property, 설계자산)를 호혜적으로 지원한다.

이와 함께 보다 효과적으로 제품을 개발할 수 있도록 삼성전자가 개발한 설계/불량 분석 툴(Tool) 및 소프트웨어 등도 지원하고 다품종 소량생산이 특징인 시스템 반도체의 특징을 고려해 위탁생산 물량 기준도 완화해 소량제품 생산을 적극적으로 지원할 계획이다.

또한 국내 중소 팹리스 업체의 개발활동에 필수적인 MPW(Multi-Project Wafer)프로그램을 공정당 년 2~3회로 확대 운영하는 한편 국내 디자인하우스 업체와의 외주협력도 확대해 나갈 계획이다라고 밝혔다.

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