◆…사진제공:삼성전자
삼성전자가 세계 최초로 차세대 낸드 인터페이스를 적용해 업계 최고 속도를 구현한 '256Gb(기가비트) 5세대 V낸드'를 본격 양산한다.
자체 개발한 3대 혁신 기술을 이용해 3차원 CTF 셀을 90단 이상 쌓은 세계 최고 적층기술을 상용화한 것으로 초당 데이터 전송 속도가 4세대 V낸드 대비 1.4배 빠른 Toggle DDR 4.0 규격이 처음으로 적용됐다.
단층을 피라미드 모양으로 쌓고 최상단에서 최하단까지 수직으로 수백나노미터 직경의 미세한 구멍을 뚫어 데이터를 저장하는 3차원(원통형) CTF 셀(CELL)을 850억 개 이상 형성하는 고난도 기술이 적용됐다.
특히 단수를 올리는데 비례해 높아지는 셀 영역의 높이를 20% 낮추는 독창적인 기술 개발로 4세대 제품대비 생산성도 30% 이상 높였다. 성능과 생산성 극대화를 위해 독자 개발한 ① 초고속·저전압 동작 회로 설계, ②고속 쓰기·최단 읽기응답 대기시간 회로 설계, ③텅스텐 원자층 박막 공정 기술 등 3대 혁신기술도 적용했다.
초고속·저전압 동작 회로 설계로 데이터 입출력 속도는 4세대 대비 1.4배 빠른 초당 1.4기가비트(Gb)를 구현했으며 동작전압은 33% 낮춰(1.8V→1.2V) 동일수준의 소비전력량으로 최고성능을 구현한다.
고속 쓰기·최단 읽기응답 대기시간 회로 설계에 따라 데이터 쓰는 시간이 역대 최단 수준인 500μs(마이크로 초)로 4세대 V낸드보다 30% 빨라졌으며 동작을 멈춘 후 읽기응답 대기시간도 50us 으로 기존 대비 대폭 줄었다.
텅스텐 원자층 박막 공정 기술(Atomic Layer Deposition W, ALD W)을 통해 셀 영역의 높이를 20% 낮춰 증가하는 간섭 현상을 줄이는 것은 물론 동작 오류를 방지하고 동작 인식 범위를 넓혀 데이터를 더 정확하고 빨리 처리할 수 있는 특성을 확보했다.
삼성전자는 5세대 V낸드의 고객 수요 확대에 맞춰 생산 비중을 빠르게 확대해 슈퍼컴퓨터부터 엔터프라이즈 서버, 모바일 시장까지 고용량화 추세를 지속 주도해 나가겠다고 밝혔다.
